Моя заявка (0)

ISC0602NLSATMA1, Power MOSFET, N Channel, 80 V, 66 A, 0.0071 ohm, TDSON, Surface Mount

ISC0602NLSATMA1, Power MOSFET, N Channel, 80 V, 66 A, 0.0071 ohm, TDSON, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8009646244
Артикул
ISC0602NLSATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
OptiMOS™ 5
Pin Count
8
Вес, г
0.121
Channel Type
N Channel
Цена по запросу
(от 217 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор OptiMOS PD мощностью 80 В от Infineon предназначен для работы с USB-PD и адаптерами. Комплект SuperSO8 обеспечивает быструю настройку и оптимизированное время выполнения заказа.

Технические параметры

SeriesOptiMOS™ 5
Pin Count8
Вес, г0.121
Channel TypeN Channel
Package TypeSuperSO8 5x6
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation60Вт
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage80 V
Maximum Gate Threshold Voltage2.3V
Maximum Drain Source Resistance0.0073 O, 0.0095 O
Drain Source On State Resistance0.0071Ом
Maximum Continuous Drain Current66 A
Линейка ПродукцииOptiMOS 5
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока66А
Пороговое Напряжение Vgs1.6В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds80В
Стиль Корпуса ТранзистораTDSON
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А66
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0071 Ом

Техническая документация