ISC0602NLSATMA1, MOSFETs IFX FET 60-80V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008530469
- Артикул
- ISC0602NLSATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- OptiMOS™ 5
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 349
- Channel Type
- N Channel
Цена по запросу
(от 155,19 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор OptiMOS PD мощностью 80 В от Infineon предназначен для работы с USB-PD и адаптерами. Комплект SuperSO8 обеспечивает быструю настройку и оптимизированное время выполнения заказа.
Технические параметры
| Series | OptiMOS™ 5 |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 349 |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | SuperSO8 5x6 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 60Вт |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0073 O, 0.0095 O |
| Drain Source On State Resistance | 0.0071Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 66 A |
| Линейка Продукции | OptiMOS 5 |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 66А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.6В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 80В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TDSON |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |