Моя заявка (0)
ISC055N15NM6ATMA1, MOSFETs IFX FET 100-150V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8038519647
Артикул
ISC055N15NM6ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, кг
1.1
Цена по запросу
(от 497,45 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 150 В 15,4 А (Ta), 130 А (Tc), 3 Вт (Ta), 214 Вт (Tc) для поверxностного монтажа PG-TDSON-8

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, кг1.1
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 110µA
СтруктураMOSFET
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.2mOhm @ 50A, 15V
Особенности-
Power Dissipation (Max)3W(Ta), 214W(Tc)
Supplier Device PackagePG-TDSON-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4000 pF @ 75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)8V, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15.4A(Ta), 130A(Tc)
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация