MOSFET ISC045N03L5SATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031015836
- Артикул
- ISC045N03L5SATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 119,65 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Низковольтный силовой МОП-транзистор Infineon отличается широкой доступностью и конкурентоспособным соотношением цена/производительность.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TDSON-FL-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | ISC045N03L5S SP005408605 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 6.7 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 30 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 63 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |