Моя заявка (0)
ISC037N12NM6ATMA1, MOSFETs IFX FET 100-150V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8029017171
Артикул
ISC037N12NM6ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, кг
1.1
Цена по запросу
(от 405,48 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 120 В 19,2 А (Ta), 163 А (Tc), 3 Вт (Ta), 214 Вт (Tc) для поверxностного монтажа PG-TDSON-8 FL

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, кг1.1
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id3.6V @ 111µA
СтруктураMOSFET
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.7mOhm @ 50A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)3W(Ta), 214W(Tc)
Supplier Device PackagePG-TDSON-8 FL
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs58 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)120 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4300 pF @ 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C19.2A(Ta), 163A(Tc)
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В