Моя заявка (0)

N-Channel MOSFET, 98 A, 40 V, 8-Pin TDSON-8 FL ISC036N04NM5ATMA1

N-Channel MOSFET, 98 A, 40 V, 8-Pin TDSON-8 FL ISC036N04NM5ATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014578654
Артикул
ISC036N04NM5ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
8
Вес, г
1
Channel Type
N
Package Type
TDSON-8 FL
Цена по запросу
(от 300,42 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный MOSFET на силовом транзисторе Infineon OptiMOS 5 имеет напряжение пробоя источника стока 40 В и постоянный ток стока 98 А.

Технические параметры

Pin Count8
Вес, г1
Channel TypeN
Package TypeTDSON-8 FL
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Power Dissipation (Pd)3W;63W
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
ПодкатегорияMOSFETs
Total Gate Charge (Qg@Vgs)28nC@10V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTDSON-8
Input Capacitance (Ciss@Vds)2nF@20V
Maximum Drain Source Voltage40 V
Continuous Drain Current (Id)21A;98A
Канальный режимEnhancement
Qg - заряд затвора21 nC
Maximum Continuous Drain Current98 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности63 W
Другие названия товара №ISC036N04NM5 SP005399111
Id - непрерывный ток утечки98 A
Размер фабричной упаковки5000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток3.6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток40 V
Пороговое напряжение на затворе3.4V@23uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.2 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А98
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт63
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)3.6mΩ@49A, 10V

Техническая документация