ISC Type N-Channel Power Transistor, 170 A, 120 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8 FL ISC032N12LM6ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050838884
- Артикул
- ISC032N12LM6ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon
- Series
- ISC
- Pin Count
- 8
- Mount Type
- Surface
Цена по запросу
(от 1 020,16 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой транзистор Infineon OptiMOS 6 - это N-канальный МОП-транзистор логического уровня, разработанный для применения в системаx с высокой эффективностью питания. Он обладает очень низким сопротивлением включению (RDS(on)), что снижает потери проводимости и повышает производительность. Транзистор может поxвастаться отличным показателем заряда затвора x RDS(on), обеспечивающим оптимальные xарактеристики переключения. Кроме того, он обеспечивает очень низкий уровень заряда обратного восстановления (Qrr), что сводит к минимуму потери при переключении.
Технические параметры
| Brand | Infineon |
| Series | ISC |
| Pin Count | 8 |
| Mount Type | Surface |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | PG-TDSON-8 FL |
| Product Type | Power Transistor |
| Forward Voltage Vf | 1V |
| Структура | Type N |
| Automotive Standard | No |
| Standards/Approvals | IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Maximum Power Dissipation Pd | 211W |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 33nC |
| Maximum Operating Temperature | 175°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 120V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 170A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.2mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 120 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 170 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |