Моя заявка (0)

N-Channel MOSFET, 121 A, 40 V, 8-Pin TDSON-8 FL ISC028N04NM5ATMA1

N-Channel MOSFET, 121 A, 40 V, 8-Pin TDSON-8 FL ISC028N04NM5ATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015369232
Артикул
ISC028N04NM5ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
8
Вес, г
1
Channel Type
N
Package Type
TDSON-8 FL
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Минимальный заказ: 5000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный MOSFET на силовом транзисторе Infineon OptiMOS 5 имеет напряжение пробоя источника стока 40 В и постоянный ток стока 121 А.

Технические параметры

Pin Count8
Вес, г1
Channel TypeN
Package TypeTDSON-8 FL
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation75Вт
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTDSON-8
Maximum Drain Source Voltage40 V
Канальный режимEnhancement
Qg - заряд затвора29 nC
Drain Source On State Resistance0.0021Ом
Maximum Continuous Drain Current121 A
Линейка ПродукцииOptiMOS 5
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов8вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока121А
Рассеиваемая Мощность75Вт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs3.4В
Pd - рассеивание мощности75 W
Другие названия товара №ISC028N04NM5 SP005399107
Id - непрерывный ток утечки121 A
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds40В
Размер фабричной упаковки5000
Стиль Корпуса ТранзистораTDSON-FL
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток2.8 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток40 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.2 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0021Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А121
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0021 Ом

Техническая документация