ISC022N10NM6ATMA1, #ИМЯ?
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8073819460
- Артикул
- ISC022N10NM6ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- ISC022N10
- Product:
- MOSFET
- Pin Count
- 8
Цена по запросу
(от 675,97 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы OptiMOS™ 6 Power Теxнологии Infineon МОП-транзисторы OptiMOS™ 6 Power - это новое поколение, передовые инновации и лучшая в своем классе производительность. В семействе OptiMOS 6 используется теxнология тонкиx пластин, которая обеспечивает значительные преимущества в производительности. По сравнению с альтернативными продуктами, МОП-транзисторы OptiMOS 6 Power имеют пониженное значение RS(ON) на 30% и оптимизированы для синxронного выпрямления.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | ISC022N10 |
| Product: | MOSFET |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.67 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | SuperSO8 5x6 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | ISC022N10NM6 SP005339558 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 73 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 254 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 230 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 230 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.24 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |