N-Channel MOSFET, 170 A, 40 V, 8-Pin TDSON-8 FL ISC019N04NM5ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014578653
- Артикул
- ISC019N04NM5ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- 1PCSNChannel
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 365,40 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный MOSFET на силовом транзисторе Infineon OptiMOS 5 имеет напряжение пробоя источника стока 40 В и постоянный ток стока 170 А.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N |
| Package Type | TDSON-8 FL |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Power Dissipation (Pd) | 3W;100W |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 55nC@10V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TDSON-8 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 3.9nF@20V |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 29A;170A |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 42 nC |
| Maximum Continuous Drain Current | 170 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 100 W |
| Другие названия товара № | ISC019N04NM5 SP005352244 |
| Id - непрерывный ток утечки | 170 A |
| Размер фабричной упаковки | 5000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.9 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.4V@50uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 170 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.9mΩ@50A, 10V |