Моя заявка (0)

N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-PIn SuperSO8 5 x 6 InfIneon ISC019N03L5SATMA1

N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-PIn SuperSO8 5 x 6 InfIneon ISC019N03L5SATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8064004821
Артикул
ISC019N03L5SATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Q(g)
22 nC
V(DS)
30 V
P(tot)
69 W
Package
TDSON-8
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Минимальный заказ: 5000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор TRENCH <= 40V

Технические параметры

Q(g)22 nC
V(DS)30 V
P(tot)69 W
PackageTDSON-8
R(thJC)1.8 K/W
MountingSMD
PackagingREEL
Pin Count8
AutomotiveNO
TechnologyOptiMOS
Вес, г1
СерияN-Channel
Logic levelYES
RoHS StatusRoHS-conform
Channel TypeN
Package TypeSuperSO8 5x6
ConfigurationN-CH
Mounting TypeSurface Mount
RDS(on)at 10V1.6 mOhm
Fast bodydiodeNO
I(D)at Tc=25°C100 A
УпаковкаReel, Cut Tape
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаMOSFET
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTDSON-8
Maximum Drain Source Voltage30 V
Канальный режимEnhancement
Qg - заряд затвора22 nC
Maximum Continuous Drain Current100 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности69 W
Другие названия товара №ISC019N03L5S SP005408617
Id - непрерывный ток утечки100 A
Коммерческое обозначениеOptiMOS ~ StrongIRFET
Размер фабричной упаковки5000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.9 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.2 V