ISC015N04NM5ATMA1, Транзисторы и сборки MOSFET PGTDSON8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025230784
- Артикул
- ISC015N04NM5ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- ISC015N04NM5
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.38
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 237 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Семейство низковольтныx МОП-транзисторов Infineon OptiMOS 5 серии продуктов Infineon нормального уровня предлагает эталонное решение для применений, требующиx мощности привода нормального уровня (более высокого порогового напряжения).
Технические параметры
| Series | ISC015N04NM5 |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.38 |
| Channel Type | N |
| Package Type | TDSON-8 FL |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Power Dissipation (Pd) | 3W;115W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 67nC@10V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 4.8nF@20V |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 33A;206A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.015 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 145 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.4V@60uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 115 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.5mΩ@50A, 10V |