ISC011N06LM5ATMA1, 60V 1.15mOhm@50A,10V 2.3V@116uA N Channel 11000pF@30V 170nC@10V -55°C~+175°C@(Tj) TDSON-8-17 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070088985
- Артикул
- ISC011N06LM5ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- ISC
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.4
Цена по запросу
(от 390 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы Infineon в корпусе SuperSO8 расширяют линейку продуктов OptiMOS 5 и 3 и обеспечивают более высокую плотность мощности в дополнение к повышенной надежности, что позволяет снизить стоимость системы и повысить производительность.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | ISC |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.4 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SuperSO8 5x6 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TDSON-FL-8 |
| Part # Aliases: | ISC011N06LM5 SP005400954 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 63 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 188 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 288 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.3V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.00115 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 288 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.15 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |