ISC009N06LM5ATMA1, 60V 0.9mOhm@50A,10V 2.3V@147uA N Channel TSON-8-EP(5x6) MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048954298
- Артикул
- ISC009N06LM5ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Вес, г
- 0.15
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 701,19 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 0.15 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TSON-8 |
| Part # Aliases: | ISC009N06LM5 SP005400730 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 77 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Pd - Power Dissipation: | 214 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 348 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 900 uOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.3 V |