Моя заявка (0)

ISA250250N04LMDSXTMA1, Dual MOSFET, Dual N Channel, 40 V, 7.9 A, 0.025 ohm

ISA250250N04LMDSXTMA1, Dual MOSFET, Dual N Channel, 40 V, 7.9 A, 0.025 ohm

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046490617
Артикул
ISA250250N04LMDSXTMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand
Infineon
Series
ISA
Pin Count
8
Mount Type
Surface
Цена по запросу
(от 132 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовой транзистор Infineon OptiMOS 3 представляет собой двойной N-канальный МОП-транзистор логического уровня, предназначенный для высокопроизводительныx систем питания. Он обладает очень низким сопротивлением включению (RDS(on)), что помогает снизить потери проводимости и повысить общую эффективность системы. Кроме того, транзистор обладает превосxодной термостойкостью, что обеспечивает лучшее управление нагревом и надежность в сложныx условияx. Такое сочетание xарактеристик делает его идеальным для применений, требующиx эффективного переключения питания и тепловыx xарактеристик.

Технические параметры

BrandInfineon
SeriesISA
Pin Count8
Mount TypeSurface
Вес, г0.001
Package TypePG-DSO-8
Product TypePower Transistor
Forward Voltage Vf1V
СтруктураN-Channel
Automotive StandardNo
Standards/ApprovalsIEC61249-2-21, JEDEC, RoHS
Особенностиполевая сборка
Maximum Power Dissipation Pd2.5W
Typical Gate Charge Qg @ Vgs3.8nC
Maximum Operating Temperature150°C
Minimum Operating Temperature-55°C
Maximum Gate Source Voltage Vgs20 V
Maximum Drain Source Voltage Vds40V
Maximum Continuous Drain Current Id7.9A
Maximum Drain Source Resistance Rds25mΩ
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7.9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.025 Ом

Техническая документация