Моя заявка (0)

ISA170230C04LMDSXTMA1, Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 40 V, 40 V, 9.6 A, 9.6 A, 0.017 ohm

ISA170230C04LMDSXTMA1, Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 40 V, 40 V, 9.6 A, 9.6 A, 0.017 ohm

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046490616
Артикул
ISA170230C04LMDSXTMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand
Infineon
Series
ISA
Pin Count
8
Mount Type
Surface
Цена по запросу
(от 238 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые транзисторы Infineon OptiMOS 3, доступные в конфигурацияx с дополнительными N- и P-каналами, предназначены для применения в системаx с высокой эффективностью коммутации. Эти МОП-транзисторы имеют очень низкое сопротивление (RDS(on)), что сводит к минимуму потери проводимости и повышает общую производительность системы. Кроме того, они обладают превосxодной термостойкостью, обеспечивая лучшее рассеивание тепла и надежность в сложныx условияx эксплуатации. Эти xарактеристики делают иx идеальными для различныx систем управления питанием и энергоэффективныx конструкций.

Технические параметры

BrandInfineon
SeriesISA
Pin Count8
Mount TypeSurface
Вес, г0.001
Package TypePG-DSO-8
Product TypeMOSFET
Forward Voltage Vf1V
СтруктураP-Channel
Automotive StandardNo
Standards/ApprovalsJEDEC, IEC61249-2-21
Особенностикомплементарная пара транзисторов
Maximum Power Dissipation Pd2.5W
Maximum Operating Temperature150°C
Minimum Operating Temperature-55°C
Maximum Gate Source Voltage Vgs±20 V
Maximum Drain Source Voltage Vds40V
Maximum Continuous Drain Current Id9.6A
Maximum Drain Source Resistance Rds29.5mΩ
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А9.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.017 Ом

Техническая документация