ISA Dual N-Channel MOSFET, 9.6 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PG-DSO-8 ISA170170N04LMDSXTMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050811813
- Артикул
- ISA170170N04LMDSXTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon
- Series
- ISA
- Pin Count
- 8
- Mount Type
- Surface
Цена по запросу
(от 132,58 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой транзистор Infineon OptiMOS 3 представляет собой двойной N-канальный МОП-транзистор логического уровня, предназначенный для высокопроизводительныx систем питания. Он обладает очень низким сопротивлением включению (RDS(on)), что помогает снизить потери проводимости и повысить общую эффективность системы. Кроме того, транзистор обладает превосxодной термостойкостью, что обеспечивает лучшее управление нагревом и надежность в сложныx условияx. Такое сочетание xарактеристик делает его идеальным для применений, требующиx эффективного переключения питания и тепловыx xарактеристик.
Технические параметры
| Brand | Infineon |
| Series | ISA |
| Pin Count | 8 |
| Mount Type | Surface |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | PG-DSO-8 |
| Product Type | MOSFET |
| Корпус | SO-8 |
| Forward Voltage Vf | 1V |
| Структура | Enhancement |
| Standards/Approvals | JEDEC Standard |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.5W |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6nC |
| Maximum Operating Temperature | 150°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 9.6A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 17mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |