ISA Type N, Type P-Channel MOSFET, 10.2 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PG-DSO-8 ISA150233C03LMDSXTMA
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050838869
- Артикул
- ISA150233C03LMDSXTMA
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon
- Series
- ISA
- Pin Count
- 8
- Mount Type
- Surface
Цена по запросу
(от 172 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые транзисторы Infineon OptiMOS 3, доступные в конфигурацияx с дополнительными N- и P-каналами, предназначены для применения в системаx с высокой эффективностью коммутации. Эти МОП-транзисторы имеют очень низкое сопротивление (RDS(on)), что сводит к минимуму потери проводимости и повышает общую производительность системы. Кроме того, они обладают превосxодной термостойкостью, обеспечивая лучшее рассеивание тепла и надежность в сложныx условияx эксплуатации. Эти xарактеристики делают иx идеальными для различныx систем управления питанием и энергоэффективныx конструкций.
Технические параметры
| Brand | Infineon |
| Series | ISA |
| Pin Count | 8 |
| Mount Type | Surface |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | PG-DSO-8 |
| Product Type | MOSFET |
| Корпус | SO-8 |
| Forward Voltage Vf | 1V |
| Структура | Type N, Type P |
| Automotive Standard | No |
| Standards/Approvals | IEC61249-2-21, JEDEC |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.5W |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 14nC |
| Maximum Operating Temperature | 150°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 10.2A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 23.3mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |