IRLZ44NPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 41А, 83Вт, TO220AB

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070080141
- Артикул
- IRLZ44NPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 32 nC
- V(DS)
- 55 V
- Series
- HEXFET
- Package
- TO-220
Цена по запросу
(от 127,82 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 41А, 83Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Q(g) | 32 nC |
| V(DS) | 55 V |
| Series | HEXFET |
| Package | TO-220 |
| Version | N channel |
| Assembly | THT |
| Enclosure | TO-220 |
| Packaging | TUBE |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | NO |
| Power loss | 83 W |
| Вес, г | 1.95 |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Max. current | 47 A |
| Package Type | TO-220AB |
| max. Voltage | 55 V |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Through Hole |
| RDS(on)at 10V | 22 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 41 A |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.67x10<sup>-8</sup> C |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 110 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 48 nC @ 5 V |
| max. operating temperature | 175 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Температура, С | -55…+175 |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 22 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 47 A |
| Крутизна характеристики S,А/В | 21 |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 57*26*32/1500 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 22 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 2 |