Моя заявка (0)

IRLZ44NPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 41А, 83Вт, TO220AB

IRLZ44NPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 41А, 83Вт, TO220AB

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070080141
Артикул
IRLZ44NPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Q(g)
32 nC
V(DS)
55 V
Series
HEXFET
Package
TO-220
Цена по запросу
(от 127,82 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 41А, 83Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

Q(g)32 nC
V(DS)55 V
SeriesHEXFET
PackageTO-220
VersionN channel
AssemblyTHT
EnclosureTO-220
PackagingTUBE
Pin Count3
AutomotiveNO
Power loss83 W
Вес, г1.95
RoHS StatusRoHS-conform
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Max. current47 A
Package TypeTO-220AB
max. Voltage55 V
ConfigurationN-CH
Mounting TypeThrough Hole
RDS(on)at 10V22 mOhm
Fast bodydiodeNO
I(D)at Tc=25°C41 A
Transistor MaterialSi
Transistor PolarityN Channel; Continuous Drain Current Id
Gate Charge Qg @10V (nC)1.67x10<sup>-8</sup> C
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation110 W
Typical Gate Charge @ Vgs48 nC @ 5 V
max. operating temperature175 °C
min. operating temperature-55 °C
Температура, С-55…+175
Maximum Gate Source Voltage-16 V, +16 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage55 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage2V
Minimum Gate Threshold Voltage1V
Maximum Drain Source Resistance22 mΩ
Maximum Continuous Drain Current47 A
Крутизна характеристики S,А/В21
Транспортная упаковка: размер/кол-во57*26*32/1500
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм22
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В2

Техническая документация