Моя заявка (0)

IRLZ34NSTRLPBF, Транзистор полевой N-канальный 55В 30A

IRLZ34NSTRLPBF, Транзистор полевой N-канальный 55В 30A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070114944
Артикул
IRLZ34NSTRLPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Width
11.3mm
Series
HEXFET
Pin Count
3
Вес, г
1.98
Цена по запросу
(от 197,70 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор MOSFT 55V 30A 35mOhm 16.7nC LogLvl

Технические параметры

Width11.3mm
SeriesHEXFET
Pin Count3
Вес, г1.98
Длина6.5 mm
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeD2PAK(TO-263)
Высота2.3 mm
Ширина6.22 mm
Mounting TypeSurface Mount
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Forward Diode Voltage1.3V
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation68 W
Typical Gate Charge @ Vgs25 nC @ 5 V
Maximum Gate Source Voltage-16 V, +16 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon / IR
Упаковка / блокTO-252-3
Maximum Drain Source Voltage55 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage2V
Minimum Gate Threshold Voltage1V
Qg - заряд затвора16.7 nC
Maximum Drain Source Resistance60 mΩ
Maximum Continuous Drain Current30 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности68 W
Id - непрерывный ток утечки30 A
Размер фабричной упаковки800
Vgs - напряжение затвор-исток16 V, + 16 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток60 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток55 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.8 V

Техническая документация