IRLZ34NPBF, Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002238645
- Артикул
- IRLZ34NPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- HEXFET
- Version
- N channel
- Assembly
- THT
- FET Type
- N-Channel
Цена по запросу
(от 180 ₽)
Минимальный заказ: 230 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 27А, 56Вт, TO220AB
Технические параметры
| Series | HEXFET |
| Version | N channel |
| Assembly | THT |
| FET Type | N-Channel |
| Enclosure | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Power loss | 56 W |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 10 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Max. current | 30 A |
| Package Type | TO-220AB |
| max. Voltage | 55 V |
| Высота | 15.65 mm |
| Корпус | TO-220AB |
| Ширина | 4.4 mm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Упаковка | Tube |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 16A, 10V |
| Особенности | Advanced Trench Technology |
| Power Dissipation (Max) | 68W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Тип продукта | MOSFET |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 9.3x10<sup>-9</sup> C |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 68 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 25 nC @ 5 V |
| max. operating temperature | 175 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Температура, С | -55…+175 |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 5 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Qg - заряд затвора | 25 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 35 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 880 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A(Tc) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 56 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 27 A |
| drain-source on resistance RDS (on) max @VGS=10V | 35 mΩ |
| Крутизна характеристики, S | 11 |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 16 V |
| Крутизна характеристики S,А/В | 11 |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 60 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 35 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 2 |