Моя заявка (0)
Транзистор полевой IRLZ14PBF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062671448
Артикул
IRLZ14PBF
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
HTS
8541.29.00.95
Tab
Tab
Width
4.7mm
EU RoHS
Compliant
Цена по запросу
(от 36 ₽)
Минимальный заказ: 150 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор полевой IRLZ14PBF от известного производителя VISHAY - это высокопроизводительный компонент для монтажа в отверстия (THT). С током стока до 7,2 А и напряжением сток-исток в 60 В, этот N-MOSFET является идеальным решением для различных силовых применений. Мощность транзистора достигает 43 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии всего 0,2 Ом обеспечивает эффективную работу устройства. Корпус TO220 гарантирует удобство установки и надежность использования. Используя IRLZ14PBF в вашем проекте, вы получите надежный и долговечный компонент с отличными характеристиками. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 7.2 Напряжение сток-исток, В 60 Мощность, Вт 43 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.2 Корпус TO220

Технические параметры

HTS8541.29.00.95
TabTab
Width4.7mm
EU RoHSCompliant
MilitaryNo
MountingThrough Hole
ECCN (US)EAR99
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeThrough Hole
Вес, г1
СерияIRLZ
PCB changed3
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220AB
ConfigurationSingle
Mounting TypeThrough Hole
Package Width4.7(Max)
Package Height9.01(Max)
Package Length10.41(Max)
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTO-220AB
УпаковкаTube
Transistor MaterialSi
Transistor PolarityN Channel; Continuous Drain Current Id
ТехнологияSi
Standard Package NameTO-220
Вид монтажаThrough Hole
Время спада26 ns
Typical Fall Time (ns)26
Typical Rise Time (ns)110
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation43 W
Typical Gate Charge @ Vgs8.4 nC @ 5 V
Maximum Gate Source Voltage-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокTO-220AB-3
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Power Dissipation (mW)43000
Minimum Gate Threshold Voltage1V
Qg - заряд затвора8.4 nC
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)8.4(Max)@5V
Maximum Drain Source Resistance200 mΩ
Maximum Gate Source Voltage (V)±10
Typical Output Capacitance (pF)170
Typical Turn-On Delay Time (ns)9.3
Время нарастания110 ns
Maximum Continuous Drain Current10 A
Maximum Drain Source Voltage (V)60
Typical Turn-Off Delay Time (ns)17
Typical Gate to Drain Charge (nC)6(Max)
Maximum Gate Threshold Voltage (V)2
Typical Gate to Source Charge (nC)3.5(Max)
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Maximum Continuous Drain Current (A)10
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)400@25V
Typical Reverse Recovery Charge (nC)340
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)200@5V
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности43 W
Id - непрерывный ток утечки10 A
Размер фабричной упаковки50
Vgs - напряжение затвор-исток5 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток200 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения17 ns
Типичное время задержки при включении9.3 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.3.5 S

Техническая документация