HEXFET Type N-Channel MOSFET, 160 A, 30 V Enhancement, 3-Pin IPAK IRLU8743PBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8444806472
- Артикул
- IRLU8743PBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Series
- HEXFETВ® ->
- Package
- Tube
Цена по запросу
(от 320 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET,logic level, 30В, 160А, IPAK
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Series | HEXFETВ® -> |
| Package | Tube |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Tube |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.66 |
| Длина | 6.73мм |
| Серия | HEXFET |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 6.22мм |
| Ширина | 2.39мм |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Размеры | 6.73 x 2.39 x 6.22мм |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 100ВµA |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Структура | N-Channel |
| Base Product Number | IRLU8743 -> |
| Тип канала | N |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Тип корпуса | IPAK (TO-251) |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1mOhm @ 25A, 10V |
| Особенности | логические уровни |
| Power Dissipation (Max) | 135W (Tc) |
| Supplier Device Package | IPAK (TO-251) |
| Номер канала | Поднятие |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Производитель | Infineon |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59nC @ 4.5V |
| Число контактов | 3 |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.35V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.35V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4880pF @ 15V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Материал транзистора | SI |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 160A (Tc) |
| Крутизна характеристики, S | 89 |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 39 nC @ 4.5 V |
| Типичная входная емкость при Vds | 4880 пФ при 15 В |
| Максимальное рассеяние мощности | 135 W |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Типичное время задержки включения | 19 ns |
| Максимальное напряжение сток-исток | 30 V |
| Максимальный непрерывный ток стока | 160 A |
| Типичное время задержки выключения | 21 ns |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 3 мОм |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 160 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 135 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |