IRLTS2242TRPBF, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -6,9А, 2Вт, TSOP6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044199959
- Артикул
- IRLTS2242TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Width
- 1.75mm
- Series
- HEXFETВ® ->
Цена по запросу
(от 61 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор P-CHANNEL -20V -6.9A 32mOhm -2.5V capable
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Width | 1.75mm |
| Series | HEXFETВ® -> |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| FET Type | P-Channel |
| Pin Count | 6 |
| Vgs (Max) | В±12V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.03 |
| Длина | 3мм |
| Серия | HEXFET |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | TSOP-6 |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 1.3 |
| Ширина | 1.75мм |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-23-6 |
| Размеры | 3 x 1.75 x 1.3мм |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 10ВµA |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Base Product Number | IRLTS2242 -> |
| Transistor Material | Si |
| Тип канала | A, P |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Тип корпуса | Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 6.9A, 4.5V |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Номер канала | Поднятие |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 12 nC @ 4.5 V |
| Производитель | Infineon |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Число контактов | 6 |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.1V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 55 mΩ |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Maximum Continuous Drain Current | 6.9 A |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 905pF @ 10V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Материал транзистора | Кремний |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 6.9A (Ta) |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 12 нКл при 4,5 В |
| Типичная входная емкость при Vds | 905 пФ при -10 В |
| Максимальное рассеяние мощности | 2 Вт |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Типичное время задержки включения | 5,8 нс |
| Максимальное напряжение сток-исток | 20 V |
| Максимальный непрерывный ток стока | 6,9 A |
| Типичное время задержки выключения | 81 ns |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -12 V, +12 V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 55 mΩ |