Моя заявка (0)

IRLS4030TRLPBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET,logic level, 100В, 180А

IRLS4030TRLPBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET,logic level, 100В, 180А

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024644429
Артикул
IRLS4030TRLPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
170 ns
Rise Time:
330 ns
Вес, г
6.65
Цена по запросу
(от 480 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовой МОП-транзистор Infineon HEXFET оптимизирован для управления на логическом уровне, очень низкого RDS при напряжении 4,5 В, используемого привода от двигателя постоянного тока, высокоэффективного синxронного выпрямления в SMPS, источника бесперебойного питания, высокоскоростного переключения питания, цепей с жесткой коммутацией и высокочастотныx сxем.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:170 ns
Rise Time:330 ns
Вес, г6.65
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypeD2PAK
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypePCB Monut
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-263-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:130 nC
СтруктураN-МОП
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностивысокоскоростной мощный ключ
Pd - Power Dissipation:370 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-16 V, +16 V
Maximum Drain Source Voltage100 V
Id - Continuous Drain Current:180 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:320 S
Maximum Continuous Drain Current180 A
Rds On - Drain-Source Resistance:4.3 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:800
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А180
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт370
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±16В

Техническая документация