Моя заявка (0)

IRLS4030TRL7PP, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 190A D2PAK-7

IRLS4030TRL7PP, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 190A D2PAK-7

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024646401
Артикул
IRLS4030TRL7PP
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Pin Count
7
Fall Time:
87 ns
Rise Time:
160 ns
Цена по запросу
(от 560 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 190A D2PAK-7

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Pin Count7
Fall Time:87 ns
Rise Time:160 ns
Вес, г2.05
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypeD2PAK-7
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-263-7
Part # Aliases:IRLS4030TRL7PP SP001569054
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:93 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor PolarityN Channel; Continuous Drain Current Id
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностивысокоскоростной мощный ключ
Pd - Power Dissipation:370 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-16 V, +16 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:53 ns
Maximum Drain Source Voltage100 V
Typical Turn-Off Delay Time:110 ns
Id - Continuous Drain Current:190 A
Maximum Gate Threshold Voltage2.5V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance4.1 mO
Maximum Continuous Drain Current190 A
Rds On - Drain-Source Resistance:3.2 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.8 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:800
Пороговое напряжение на затворе4V@5mA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А190
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±16В

Техническая документация