IRLS3034TRL7PP, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062694354
- Артикул
- IRLS3034TRL7PP
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Width
- 4.83mm
- Series
- HEXFET
Цена по запросу
(от 370 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
IRLS3034TRL7PP Vishay Транзистор
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Width | 4.83mm |
| Series | HEXFET |
| Тип | MOSFET |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 7 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 3 |
| Время | задержки включения/выключения-590/200 нс |
| Длина | 6.5 mm |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK-7 |
| Высота | 2.3 mm |
| Ширина | 6.22 mm |
| Configuration | Single Quint Source |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | D2PAK |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-380 Вт |
| Описание | MOSFET MOSFT 40V 380A 1.4mOhm 120nC |
| Упаковка | REEL, 800 шт. |
| Process Technology | HEXFET |
| Емкость, пФ | 10990 |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-2.5 В |
| Технология | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.3V |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 200 ns |
| Typical Fall Time (ns) | 200 |
| Typical Rise Time (ns) | 590 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 380 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 120 nC @ 4.5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка / блок | TO-263-7 |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 380000 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Qg - заряд затвора | 120 nC |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 120 4.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.7 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 71 |
| Время нарастания | 590 ns |
| Тип проводимости | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 380 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 40 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 94 |
| Заряд затвора, нКл | 180 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 380 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 10990 40V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1.4 10V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 380 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 380 A |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 380 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Типичное время задержки выключения | 94 ns |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*46*36/300 |
| Типичное время задержки при включении | 71 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 1 |