Моя заявка (0)

HEXFET N-Channel MOSFET, 161 A, 30 V, 3-Pin DPAK IRLR7843TRPBF

HEXFET N-Channel MOSFET, 161 A, 30 V, 3-Pin DPAK IRLR7843TRPBF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014488264
Артикул
IRLR7843TRPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Width
6.22mm
Series
HEXFET
Pin Count
3
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 170 ₽)
Минимальный заказ: 2000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор полевой IRLR7843TRPBF производителя INFINEON - это высокопроизводительный N-MOSFET компонент, предназначенный для SMD (поверхностного) монтажа. Благодаря току стока в 161 А и напряжению сток-исток 30 В, этот транзистор способен обеспечить отличную производительность в широком спектре электронных применений. Мощность устройства составляет 140 Вт, что делает его подходящим для задач, требующих высокой мощности. Корпус DPAK обеспечивает надёжность и удобство при монтаже на печатную плату. Этот компонент с артикулом IRLR7843TRPBF идеально подходит для использования в силовой электронике и промышленных применениях. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 161 Напряжение сток-исток, В 30 Мощность, Вт 140 Корпус DPAK

Технические параметры

Width6.22mm
SeriesHEXFET
Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeDPAK(TO-252)
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Transistor PolarityN Trench
Pd - Power Dissipation140W(Tc)
Особенностилогические уровни
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation140 W
Typical Gate Charge @ Vgs34 nC @ 4.5 V
Vgs - Gate-Source Voltage2.3V @ 250uA
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage30 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage2.3V
Minimum Gate Threshold Voltage1.4V
Maximum Drain Source Resistance4 mΩ
Maximum Continuous Drain Current161 A
Rds On - Drain-Source Resistance3.3 mО© @ 15A,10V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage30V
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C161A(Tc)
Крутизна характеристики, S37
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А161
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация