IRLR3636TRLPBF, DPAK MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070186790
- Артикул
- IRLR3636TRLPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±16V
- Fall Time:
- 69 ns
Цена по запросу
(от 214 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Серия Infineon IRLR - это одноканальные n-канальные МОП-транзисторы мощностью 60 В в корпусе D-Pak. Семейство мощныx моп-транзисторов IRFET оптимизировано для работы с низким уровнем RDS (при включении) и высоким током.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Fall Time: | 69 ns |
| Rise Time: | 216 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.6 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | D-Pak(TO-252AA) |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-252-3, DPAK(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 143Вт |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 49 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8mOhm @ 50A, 10V |
| Pd - Power Dissipation: | 143 W |
| Power Dissipation (Max) | 143W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-252AA(DPAK) |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +16 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49 nC @ 4.5 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 99 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 31 S |
| Drain Source On State Resistance | 0.0054Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 99 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6.8 mOhms |
| Линейка Продукции | HEXFET |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3779 pF @ 50 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Непрерывный Ток Стока | 99А |
| Рассеиваемая Мощность | 143Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0054Ом |