Моя заявка (0)

IRLR3110ZTRPBF, Транзистор N-МОП, полевой, logic level, 100В 42A 140Вт 0,014Ом TO252AA

IRLR3110ZTRPBF, Транзистор N-МОП, полевой, logic level, 100В 42A 140Вт 0,014Ом TO252AA

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070207567
Артикул
IRLR3110ZTRPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
0.41
Channel Type
N Channel
Package Type
DPAK
Mounting Type
Through Hole
Цена по запросу
(от 159,33 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

SP001574010 • Силовой МОП-транзистор HEXFET®, специально разработанный для промышленного применения • Передовая теxнология • Сверxнизкое сопротивление при включении • Рабочая температура 175°C • Быстрое переключение • Допускается лавинообразное повторение до Tjmax

Технические параметры

Вес, г0.41
Channel TypeN Channel
Package TypeDPAK
Mounting TypeThrough Hole
Power Dissipation140Вт
Transistor Polarity-
Vgs - Gate-Source Voltage-
Maximum Drain Source Voltage100 V
Drain Source On State Resistance0.011Ом
Maximum Continuous Drain Current63 A
Rds On - Drain-Source Resistance-
Линейка ПродукцииHEXFET
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)-
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage-
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C-
Непрерывный Ток Стока42А
Рассеиваемая Мощность140Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs1В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds100В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252AA
Максимальная Рабочая Температура175 C
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.011Ом

Техническая документация