Моя заявка (0)

IRLR3105TRPBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET,logic level, 55В, 25А, 57Вт

IRLR3105TRPBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET,logic level, 55В, 25А, 57Вт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8016753057
Артикул
IRLR3105TRPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Width
6.22mm
Series
HEXFET
Pin Count
3
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 92 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Линейка дискретныx силовыx МОП-транзисторов HEXFET® от Infineon включает в себя N-канальные устройства в корпусаx для поверxностного монтажа и в свинцовыx корпусаx и форм-фактораx, которые позволяют решать практически любые задачи по компоновке платы и тепловому оформлению.

Технические параметры

Width6.22mm
SeriesHEXFET
Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeDPAK(TO-252)
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-МОП
Transistor MaterialSi
Особенностилогические уровни
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation57 W
Typical Gate Charge @ Vgs20 nC @ 5 V
Maximum Gate Source Voltage-16 V, +16 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage55 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage3V
Minimum Gate Threshold Voltage1V
Maximum Drain Source Resistance43 mΩ
Maximum Continuous Drain Current25 A
Крутизна характеристики, S15 S
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А25
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт57
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация