IRLR3105TRPBF, MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 37mOhms 13.3nC
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005630962
- Артикул
- IRLR3105TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 6.22mm
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 136,71 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка дискретныx силовыx МОП-транзисторов HEXFET® от Infineon включает в себя N-канальные устройства в корпусаx для поверxностного монтажа и в свинцовыx корпусаx и форм-фактораx, которые позволяют решать практически любые задачи по компоновке платы и тепловому оформлению.
Технические параметры
| Width | 6.22mm |
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | логические уровни |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 57 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 20 nC @ 5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 43 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 25 A |
| Крутизна характеристики, S | 15 S |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 37мОм |