Транзистор, -55…+175°С, IRLR2905TRPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8057777694
- Артикул
- IRLR2905TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 6.22mm
- Series
- HEXFET
- Тип
- MOSFET
- Тип:
- HEXFET Power MOSFET
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IRLR2905TRPBF от известного производителя INFINEON – высококачественный компонент для современной электроники. С монтажом SMD и корпусом DPAK, этот N-MOSFET транзистор способен выдерживать ток стока до 36 А и напряжение сток-исток до 55 В, обеспечивая мощность до 69 Вт. Данный транзистор идеально подходит для широкого спектра применений, обеспечивая надежность и эффективность в управлении мощными нагрузками. На нашем сайте вы можете ознакомиться с полным ассортиментом и приобрести IRLR2905TRPBF, гарантируя высокое качество и долговечность вашей электронной аппаратуры. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 36 Напряжение сток-исток, В 55 Мощность, Вт 69 Корпус DPAK
Технические параметры
| Width | 6.22mm |
| Series | HEXFET |
| Тип | MOSFET |
| Тип: | HEXFET Power MOSFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Время | задержки включения/выключения-84/15 нс |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Корпус | TO-252(DPAK) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-69 Вт |
| Описание | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC |
| Упаковка | REEL, 2000 шт. |
| Transistor Material | Si |
| Емкость, пФ | 1700 |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-1.8 В |
| Технология: | Si |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Время спада: | 15 ns |
| Особенности | логические уровни |
| Transistor Configuration | Single |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Maximum Power Dissipation | 110 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 48 nC @ 5 V |
| Конфигурация: | Single |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Производитель: | Infineon |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Торговая марка: | Infineon/IR |
| Упаковка / блок: | TO-252-3 |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Канальный режим: | Enhancement |
| Тип транзистора: | 1 N-Channel |
| Maximum Drain Source Resistance | 40 mΩ |
| Qg - заряд затвора: | 32 nC |
| Тип проводимости | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 42 A |
| Время нарастания: | 84 ns |
| Заряд затвора, нКл | 48 |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Количество каналов: | 1 Channel |
| Полярность транзистора: | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности: | 69 W |
| Другие названия товара №: | IRLR2905TRPBF SP001558410 |
| Id - непрерывный ток утечки: | 36 A |
| Крутизна характеристики, S | 21 |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | -16 V, +16 V |
| Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С |
| Пороговое напряжение на затворе | 2V@250uA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 40 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 55 V |
| Минимальная рабочая температура: | -55 C |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 42 |
| Максимальная рабочая температура: | +175 C |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±16 В |
| Типичное время задержки выключения: | 26 ns |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*46*50/2000 |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 55 |
| Типичное время задержки при включении: | 11 ns |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 1.8 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16В |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 40 |
| Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки: | 2000 |