HEXFET N-Channel MOSFET, 23 A, 30 V, 3-Pin DPAK IRLR2703TRPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015542501
- Артикул
- IRLR2703TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Series
- HEXFET
- Тип
- HEXFET Power MOSFET
Цена по запросу
(от 74 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный силовой МОП-транзистор серии Infineon HEXFET. В нем используются передовые теxнологии обработки для достижения минимально возможного сопротивления на одной площади кремния.
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Series | HEXFET |
| Тип | HEXFET Power MOSFET |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 6.5 mm |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Высота | 2.3 mm |
| Ширина | 6.22 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | DPAK |
| Process Technology | HEXFET |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 20 ns |
| Typical Fall Time (ns) | 20 |
| Typical Rise Time (ns) | 140 |
| Особенности | быстродействующий ключ |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 45000 |
| Qg - заряд затвора | 10 nC |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 15(Max)4.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.045 Ω, 0.065 Ω |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±16 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 8.5 |
| Время нарастания | 140 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 23 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 12 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 23 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 450 25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 45 10V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 38 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 22 A |
| Крутизна характеристики, S | 6400 |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 16 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 65 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 12 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8.5 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 23 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 45 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 45mΩ@14A, 10V |