Транзистор, -55…+175°С, IRLR120NTRPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8057777707
- Артикул
- IRLR120NTRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 13.3 nC
- Type:
- HEXFET Power MOSFET
- V(DS)
- 100 V
- Brand:
- Infineon Technologies
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IRLR120NTRPBF от производителя INFINEON представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в SMD-технологии. Устройство характеризуется током стока 11 А и напряжением сток-исток до 100 В, что обеспечивает надежную работу в широком диапазоне применений. С мощностью 39 Вт и компактным корпусом DPAK, этот транзистор идеален для использования в различных электронных схемах, где требуется высокая эффективность и минимизация занимаемого пространства. Модель IRLR120NTRPBF гарантирует стабильность и долговечность, благодаря качественному исполнению и проверенной репутации компании INFINEON. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 11 Напряжение сток-исток, В 100 Мощность, Вт 39 Корпус DPAK
Технические параметры
| Q(g) | 13.3 nC |
| Type: | HEXFET Power MOSFET |
| V(DS) | 100 V |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Тип | MOSFET |
| Package | DPAK |
| Packaging | REEL |
| Automotive | NO |
| Fall Time: | 22 ns |
| Rise Time: | 35 ns |
| Вес, г | 1 |
| Время | задержки включения/выключения-35/22 нс |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-252(DPAK) |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | N-CH |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | TO-252-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| RDS(on)at 10V | 185 mOhm |
| Configuration: | Single |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 11 A |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IRLR120NTRPBF SP001574026 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-48 Вт |
| Описание | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC |
| Упаковка | REEL, 2000 шт. |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 20 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Емкость, пФ | 440 |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-1.8 В |
| Особенности | логические уровни |
| Pd - Power Dissipation: | 48 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2V @ 250uA |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +16 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4 ns |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 23 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 11 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Тип проводимости | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 10 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 185mО© @ 6A,10V |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 265 mOhms |
| Заряд затвора, нКл | 20 |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 48W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 10A |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.8 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Крутизна характеристики, S | 3.1 |
| Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 10 |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*46*46/2000 |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16В |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 185 |