IRLR120NTRLPBF, Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001003869
- Артикул
- IRLR120NTRLPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- HTS
- 8541.29.00.95
- Tab
- Tab
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
- Material
- Si
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IRLR120NTRLPBF от производителя INFINEON – это высококачественный компонент для эффективного управления электронными схемами. Монтаж данного транзистора осуществляется с помощью SMD-технологии, что обеспечивает удобство в интеграции на печатную плату. С током стока в 11 ампер и напряжением сток-исток в 100 вольт, этот N-MOSFET идеально подойдет для широкого спектра применений, где требуется надежное переключение и управление мощностью до 39 ватт. Корпус DPAK способствует улучшенному теплоотводу и компактности устройства. Приобрести транзистор IRLR120NTRLPBF станет отличным решением для повышения эффективности ваших электронных проектов. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 11 Напряжение сток-исток, В 100 Мощность, Вт 39 Корпус DPAK
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Tab | Tab |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Material | Si |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 6.5 mm |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Высота | 2.3 mm |
| Ширина | 6.22 mm |
| Configuration | Single |
| Package Width | 6.22(Max) |
| Package Height | 2.39(Max) |
| Package Length | 6.73(Max) |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | DPAK |
| Process Technology | HEXFET |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Typical Fall Time (ns) | 22 |
| Typical Rise Time (ns) | 35 |
| Особенности | логические уровни |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 48000 |
| Qg - заряд затвора | 13.3 nC |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 20(Max)@5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±16 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 4 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 23 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 10 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 440@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 185@10V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 39 W |
| Другие названия товара № | SP001568906 |
| Id - непрерывный ток утечки | 11 A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 265 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16В |