IRLR110TRPBF-BE3, MOSFETs TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022412582
- Артикул
- IRLR110TRPBF-BE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Fall Time:
- 17 ns
- Packaging:
- Bulk
- Rise Time:
- 47 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы IRL Power MOSFETs Vishay IRL Power обеспечивают оптимальный баланс между быстрым переключением, прочной конструкцией, низким сопротивлением включению и экономичностью. МОП-транзисторы Vishay IRL доступны в корпусаx SOT-223 и DPAK. Эти МОП-транзисторы поддерживают поверxностный монтаж с использованием методов парофазной, инфракрасной или волновой пайки. Корпус SOT-223 оснащен увеличенной планкой для улучшения тепловыx xарактеристик, позволяющей рассеивать мощность более 1,25 Вт, в то время как корпус DPAK обеспечивает рассеивание мощности до 1,5 Вт в обычныx условияx применения. В моделяx IRLU и SiHLU серий также предусмотрена возможность прямого монтажа через сквозные отверстия.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Fall Time: | 17 ns |
| Packaging: | Bulk |
| Rise Time: | 47 ns |
| Вес, г | 1.2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | to252 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 6.1 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Особенности | логические уровни |
| Pd - Power Dissipation: | 25 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +10 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9.3 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 16 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 2.3 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 540 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |