N-Channel MOSFET, 7.7 A, 60 V, 3-Pin DPAK IRLR014TRPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8013254827
- Артикул
- IRLR014TRPBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 6.22mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 3
- Длина
- 6.73 mm
Цена по запросу
(от 153,55 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор RECOMMENDED ALT 844-IRLR014TR
Технические параметры
| Width | 6.22mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 3 |
| Длина | 6.73 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Высота | 2.38 mm |
| Ширина | 6.22 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 2.5Вт |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Особенности | логические уровни |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 25 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 8.4 nC @ 5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -10 V, +10 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Qg - заряд затвора | 8.4 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 280 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.2Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 7.7 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 7.7А |
| Рассеиваемая Мощность | 2.5Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Pd - рассеивание мощности | 25 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 7.7 A |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 200 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.2Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |