Моя заявка (0)
N-Channel MOSFET, 7.7 A, 60 V DPAK IRLR014PBF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030793581
Артикул
IRLR014PBF
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
1
Channel Type
N
Package Type
DPAK(TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Цена по запросу
(от 73,44 ₽)
Минимальный заказ: 75 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы третьего поколения Vishay Semiconductor обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления при включении и экономичности.

Технические параметры

Вес, г1
Channel TypeN
Package TypeDPAK(TO-252)
Mounting TypeSurface Mount
УпаковкаTube
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада26 ns
Особенностилогические уровни
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаVishay Semiconductors
Упаковка / блокTO-252-3
Maximum Drain Source Voltage60 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора8.4 nC
Время нарастания110 ns
Maximum Continuous Drain Current7.7 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности25 W
Id - непрерывный ток утечки7.7 A
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток10 V, + 10 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток200 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения17 ns
Типичное время задержки при включении9.3 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7.7
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.3.4 S
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация