HEXFET Dual P-Channel MOSFET Transistor & Diode, 5.6 A, 20 V, 2-Pin D2PAK IRLMS6802TRPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014562201
- Артикул
- IRLMS6802TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- HEXFET
- FET Type
- P-Channel
- Packaging
- Tape & Reel(TR)
- Pin Count
- 2
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор MOSFT P-Ch -5.6A 50mOhm 11nC Log Lvl
Технические параметры
| Series | HEXFET |
| FET Type | P-Channel |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Pin Count | 2 |
| Vgs (Max) | В±12V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.1 |
| Длина | 3 mm |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Высота | 1.1 mm |
| Ширина | 1.5 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-23-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250ВµA |
| Структура | P-Channel |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Особенности | Advanced Trench Technology |
| Power Dissipation (Max) | 2W(Ta) |
| Supplier Device Package | Micro6в(ў(TSOP-6) |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка / блок | TSOP-6 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 5V |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 12V |
| Qg - заряд затвора | 11 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.05 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.6 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1079pF @ 10V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 5.6A(Ta) |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Другие названия товара № | SP001568566 |
| Id - непрерывный ток утечки | 5.6 A |
| Крутизна характеристики, S | 1.5 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 50 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 0.3…1 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.03 Ом/4А, 10В |