Транзистор, P-канал 12В 4.3А logic [Micro3 / SOT-23]
![Транзистор, P-канал 12В 4.3А logic [Micro3 / SOT-23]](https://static.epl-electro.ru/lib/880/DOC005880208.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8067810977
- Артикул
- IRLML6401TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 1.4mm
- Series
- HEXFET
- Тип
- MOSFET
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 5 ₽)
Минимальный заказ: 500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, КАНАЛ P, -12 В, -4,3 А, SOT-23-3, ПОЛНАЯ КАТУШКА, Полярность транзистора: Канал P, Постоянный ток стока Id: -4,3 А, Напряжение источника стока Vds: -12 В, Сопротивление Rds(включено): 0,05 Ом, Тестовое напряжение Rds(включено) Vgs:-4,5 В, Количество контактов: 3, соответствует требованиям RoHS: Да
Технические параметры
| Width | 1.4mm |
| Series | HEXFET |
| Тип | MOSFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 3.04мм |
| Серия | HEXFET |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-23 |
| Высота | 1.02мм |
| Ширина | 1.4мм |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Размеры | 3.04 x 1.4 x 1.02мм |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-1.3 Вт |
| Описание | MOSFET MOSFT P-Ch-4.3A 50mOhm 10nC Log Lvl |
| Упаковка | REEL, 3000 шт. |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | P Channel; Continuous Drain Current Id |
| Тип канала | P |
| Емкость, пФ | 830 |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-4 В |
| Тип корпуса | MICRO |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Номер канала | Поднятие |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Maximum Power Dissipation | 1.3 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 10 nC @ 5 V |
| Производитель | Infineon |
| Температура, С | -55…+150 |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Maximum Drain Source Voltage | 12 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Число контактов | 3 |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 0.95V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 50 mΩ |
| Тип проводимости | P |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.3 A |
| Заряд затвора, нКл | 15 |
| Материал транзистора | SI |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Крутизна характеристики S,А/В | 8.6 |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 10 nC @ 5 V |
| Типичная входная емкость при Vds | 830 pF@ 10 V |
| Максимальное рассеяние мощности | 1,3 Вт |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | -4, 3 |
| Типичное время задержки включения | 11 ns |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±8 В |
| Максимальное напряжение сток-исток | 12 В |
| Максимальный непрерывный ток стока | 4.3 A |
| Типичное время задержки выключения | 250 ns |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*46*50/18000 |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -8 В, +8 В |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | -12 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 50 мОм |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 50 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 50 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | -0.95 |