Транзистор N-MOSFET 30В 3.4А 1.3Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8067811167
- Артикул
- IRLML6346
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- PPAP
- No
- Width
- 1.4mm
- Series
- HEXFET
- Тип
- MOSFET
Цена по запросу
(от 3 ₽)
Минимальный заказ: 885 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-КАНАЛЬНЫЙ MOSFET, 30 В, 3,4 А, 3-SOT-23, ПОЛНАЯ КАТУШКА, Полярность транзистора:N-канальный, Постоянный ток стока Id:3,4 А, Напряжение источника стока Vds: 30 В, Сопротивление Rds(включено): 46 Мом, Тестовое напряжение Rds(включено) Vgs: 4,5 В, Пороговое значение Напряжение Vgs: 800 мВ, соответствует RoHS: Да
Технические параметры
| PPAP | No |
| Width | 1.4mm |
| Series | HEXFET |
| Тип | MOSFET |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.01 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-1.3 Вт |
| Описание | MOSFET MOSFT 3.4A 63mOhm 30V 2.5V drv capable |
| Упаковка | REEL, 3000 шт. |
| Process Technology | HEXFET |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Емкость, пФ | 270 |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-800 мВ |
| Standard Package Name | SOT-23 |
| Typical Fall Time (ns) | 4.9 |
| Typical Rise Time (ns) | 4 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.3 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 2.9 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1.1V @ 10uA |
| Температура, С | -55…+150 |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.1V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1300 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.5V |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 2.9 4.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 80 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±12 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 3.3 |
| Тип проводимости | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.4 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 63mО© @ 3.4A,4.5V |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 12 |
| Заряд затвора, нКл | 2.9 |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 1.3W |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 3.4 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 270 24V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 63 4.5V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 3.4A |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Крутизна характеристики S,А/В | 9.5 |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 3.4 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±12 В |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*50*50/3000 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 63 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 63 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 1.1 |