Моя заявка (0)

IRLML6344TRPBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET,logic level, 30В, 5А, 1,3Вт

IRLML6344TRPBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET,logic level, 30В, 5А, 1,3Вт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024644375
Артикул
IRLML6344TRPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Width
1.4mm
Series
HEXFET
Тип
MOSFET
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 42 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET,logic level, 30В, 5А, 1,3Вт Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

Width1.4mm
SeriesHEXFET
ТипMOSFET
Pin Count3
Вес, г0.03
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSOT-23
КорпусMicro-3/SOT-23-3
Mounting TypeSurface Mount
Мощностьрассеиваемая(Pd)-1.3 Вт
ОписаниеMOSFET MOSFT 5.0A 29mOhm 30V 2.5V drv capable
УпаковкаREEL, 3000 шт.
СтруктураN-МОП
Transistor MaterialSi
Transistor PolarityN Channel; Continuous Drain Current Id
Емкость, пФ650
Напряжениепороговое затвора(Vgs th)-800 мВ
Особенностилогические уровни
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation1.3 W
Typical Gate Charge @ Vgs6.8 nC @ 4.5 V
Температура, С-55…+150
Maximum Gate Source Voltage-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip1
Способ монтажаповерхностный(SMT)
Maximum Drain Source Voltage30 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage1.1V
Minimum Gate Threshold Voltage0.5V
Maximum Drain Source Resistance37 mΩ
Тип проводимостиN
кол-во в упаковке3000
Maximum Continuous Drain Current5 A
Заряд затвора, нКл6.8
Крутизна характеристики, S19
Диапазон рабочих температур-55…+150 °С
Крутизна характеристики S,А/В19
Пороговое напряжение на затворе2V@250uA
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А5
Максимально допустимое напряжениезатвор-исток(Vgs)±12 В
Транспортная упаковка: размер/кол-во58*46*46/9000
Максимальное напряжение сток-исток, В30
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм29
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм29
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В1.1

Техническая документация