Транзистор, -55…+150°С, IRLML6246TRPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8057777723
- Артикул
- IRLML6246TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 1.4mm
- Series
- HEXFET
- Тип
- MOSFET
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 22 ₽)
Минимальный заказ: 53 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 4,1А, 1,3Вт, SOT23
Технические параметры
| Width | 1.4mm |
| Series | HEXFET |
| Тип | MOSFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | N-Channel |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Высота | 1.1 mm |
| Ширина | 1.3 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-1.3 Вт |
| Описание | MOSFET MOSFT 20V 4.1A 46mOhm 2.5V cpbl |
| Упаковка | REEL, 3000 шт. |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Емкость, пФ | 290 |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-1.8 В |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Особенности | логические уровни |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 1.3 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 3.5 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1.1V @ 5uA |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.1V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.5V |
| Qg - заряд затвора | 3.5 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 66 mΩ |
| Тип проводимости | N |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.1 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 46mО© @ 4.1A,4.5V |
| Заряд затвора, нКл | 3.5 |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 1.3W |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 4.1A |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.3 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.1 A |
| Коммерческое обозначение | HEXFET |
| Крутизна характеристики, S | 10 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 46 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.1 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 4.1 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±12 В |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*50*50/6000 |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 20 |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 46 |