Транзистор полевой IRLML6244TRPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061150164
- Артикул
- IRLML6244TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 8.9 nC
- V(DS)
- 20 V
- Width
- 1.4mm
- Series
- HEXFET
Цена по запросу
(от 14,30 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-КАНАЛЬНЫЙ MOSFET, 20 В, 6,3 А, 3-SOT-23, ПОЛНАЯ КАТУШКА, Полярность транзистора:N-канальный, Постоянный ток стока Id: 6,3 А, Напряжение источника стока Vds: 20 В, Сопротивление Rds(включено): 21 Мом, Тестовое напряжение Rds(включено) Vgs: 4,5 В, Пороговое значение Напряжение Vgs: 12 В, соответствует RoHS: Да
Технические параметры
| Q(g) | 8.9 nC |
| V(DS) | 20 V |
| Width | 1.4mm |
| Series | HEXFET |
| Тип | MOSFET |
| Package | SOT-23 |
| Military | No |
| Mounting | SMD |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Technology | HEXFET |
| Вес, г | 1 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 21 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 6.3 A |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-1.3 Вт |
| Описание | MOSFET MOSFT 20V 6.3A 21mOhm 2.5V cpbl |
| Упаковка | REEL, 3000 шт. |
| Process Technology | HEXFET |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Емкость, пФ | 700 |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-1.8 В |
| Standard Package Name | SOT-23 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.3 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 8.9 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1.1V @ 10uA |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.1V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 27 mΩ |
| Тип проводимости | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 6.3 A |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 1300 |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 21mО© @ 6.3A,4.5V |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 8.9 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 8.9@10V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??12 |
| Заряд затвора, нКл | 8.9 |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 20 |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 1.3W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 6.3 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 700@16V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 6.3A |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 21@4.5V |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 6.3 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±12 В |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 62*50*52/12000 |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 20 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 21 |