IRLML5203TRPBF, Транзистор, P-канал 30В 3A logic [мicОмo3 / SOT-23]
![IRLML5203TRPBF, Транзистор, P-канал 30В 3A logic [мicОмo3 / SOT-23]](https://static.epl-electro.ru/lib/395/DOC009395286.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8023130083
- Артикул
- IRLML5203TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon Technologies
- Width
- 1.4mm
- RDS-on
- 98@10V mOhm
- Series
- HEXFET
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IRLML5203TRPBF от производителя INFINEON – это высококачественный компонент в категории полупроводников, предназначенный для использования в различных электронных схемах. Выполненный в компактном корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD), он обладает током стока 3 А и напряжением сток-исток 30 В, что делает его универсальным решением для управления нагрузками средней мощности. Мощность устройства составляет 1,25 Вт, что гарантирует его надежную работу в широком диапазоне применений. Используя IRLML5203TRPBF в вашей схеме, вы получаете надежный компонент от известного производителя, что обеспечит долговечность и стабильность работы устройства. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 3 Напряжение сток-исток, В 30 Мощность, Вт 1.25 Корпус SOT23
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Width | 1.4mm |
| RDS-on | 98@10V mOhm |
| Series | HEXFET |
| Тип | MOSFET |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pin Count | 3 |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.03 |
| Длина | 3.04мм |
| Серия | HEXFET |
| Lead Finish | Matte Tin |
| Subcategory | MOSFETs |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Manufacturer | Infineon |
| Package Type | SOT-23 |
| Product Type | MOSFET |
| Высота | 1.02мм |
| Корпус | SOT-23 |
| Ширина | 1.4мм |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Part # Aliases | SP001558846 |
| Размеры | 3.04 x 1.4 x 1.02мм |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 9.5 nC |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-1.25 Вт |
| Описание | P-Channel 30 V 3A(Ta)1.25W(Ta)Surface Mount Micro3™/SOT-23 |
| Упаковка | REEL, 3000 шт. |
| Typical Fall Time | 52 ns |
| Typical Rise Time | 18 ns |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Структура | P-Channel |
| Max Processing Temp | 260I300 |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Тип канала | P |
| Емкость, пФ | 510 |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-4 В |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| Тип корпуса | SOT-23 |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Pd - Power Dissipation | 1.25 W |
| Особенности | логические уровни |
| Номер канала | Поднятие |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 9.5 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 12 ns |
| Производитель | Infineon |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 88 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current | 3 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Число контактов | 3 |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 165 mΩ |
| Тип проводимости | P |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Maximum Continuous Drain Current | 3 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 165 mOhms |
| Заряд затвора, нКл | 14 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Материал транзистора | SI |
| Крутизна характеристики, S | 3.1 |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 9,5 нКл |
| Типичная входная емкость при Vds | 510 pF@ -25 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -1…-2.5 В |
| Максимальное рассеяние мощности | 1,25 W |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | -3 |
| Типичное время задержки включения | 12 нс |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Максимальное напряжение сток-исток | 30 V |
| Максимальный непрерывный ток стока | 3 A |
| Типичное время задержки выключения | 88 нс |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*50*50/9000 |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | -30 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 165 мΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 98 |