Транзистор, -55…+150°С, IRLML5103TRPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8057777725
- Артикул
- IRLML5103TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 3.3 nC
- V(DS)
- 30 V
- Width
- 1.4mm
- P(tot)
- 0.54 W
Цена по запросу
(от 28 ₽)
Минимальный заказ: 66 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МАЛОСИГНАЛЬНЫЙ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, 0,76А I(D), 30 В, 1-ЭЛЕМЕНТНЫЙ, P-КАНАЛ, КРЕМНИЙ, МЕТАЛЛ-ОКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO-236AB
Технические параметры
| Q(g) | 3.3 nC |
| V(DS) | 30 V |
| Width | 1.4mm |
| P(tot) | 0.54 W |
| Series | HEXFET |
| Тип | MOSFET |
| Package | SOT-23 |
| Version | P-channel |
| Assembly | SMD |
| Mounting | SMD |
| Enclosure | SOT-23 |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | NO |
| Power loss | 540 mW |
| Technology | HEXFET |
| Вес, г | 1 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Max. current | -760 mA |
| Package Type | SOT-23 |
| max. Voltage | -30 V |
| Configuration | P-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 600 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 1.2 A |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-540 мВт |
| Описание | MOSFET MOSFT P-Ch-0.61A 600mOhm 3.4nC LogLvl |
| Упаковка | REEL, 3000 шт. |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | P Channel; Continuous Drain Current Id |
| Емкость, пФ | 75 |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-1 В |
| Особенности | логические уровни |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 3.4x10<sup>-9</sup> C |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 540 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 3.4 nC @ 10 V |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Температура, С | -55…+150 |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 600 mΩ |
| Тип проводимости | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 760 mA |
| Заряд затвора, нКл | 5.1 |
| Крутизна характеристики, S | 0.44 |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Крутизна характеристики S,А/В | 0.44 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3 |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 0.76 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 62*50*52/15000 |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | -30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 600 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 600 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | -1 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.6 Ом |