IRLML2803TRPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 1,2А, 0,4Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070081914
- Артикул
- IRLML2803TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 1.4mm
- Series
- HEXFET
- Тип
- MOSFET
- Version
- N channel
Цена по запросу
(от 27,71 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка дискретныx силовыx МОП-транзисторов HEXFET® от Infineon включает в себя N-канальные устройства для поверxностного монтажа и свинцовые корпуса.
Технические параметры
| Width | 1.4mm |
| Series | HEXFET |
| Тип | MOSFET |
| Version | N channel |
| Assembly | SMD |
| Enclosure | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Power loss | 540 mW |
| Вес, г | 0.03 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Max. current | 1.2 A |
| Package Type | SOT-23 |
| max. Voltage | 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-540 мВт |
| Описание | MOSFET MOSFT 30V 1.2A 250mOhm 3.3nC LogLvl |
| Упаковка | REEL, 3000 шт. |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Емкость, пФ | 85 |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-1 В |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 3.3x10<sup>-9</sup> C |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 540 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 3.3 nC @ 10 V |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Температура, С | -55…+150 |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 250 mΩ |
| Тип проводимости | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.2 A |
| Заряд затвора, нКл | 5 |
| drain-source on resistance RDS (on) max @VGS=10V | 250 mΩ |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Крутизна характеристики S,А/В | 0.87 |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 1.2 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 62*50*52/9000 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 250 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 250 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 1 |