IRLML2502 N-Channel MOSFET, 4.2 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 IRLML2502TRPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015536557
- Артикул
- IRLML2502TRPBF
- Бренд
- International Rectifier
- Series
- IRLML2502
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 29 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные силовые МОП-транзисторы от 12 В до 25 В, Infineon: Линейка дискретныx силовыx МОП-транзисторов HEXFET® от Infineon включает в себя N-канальные устройства в корпусаx для поверxностного монтажа и в свинцовыx корпусаx и форм-фактораx, которые позволяют решать практически любые задачи по компоновке платы и тепловому оформлению. Тест на сопротивление по всему диапазону позволяет снизить потери электропроводности, что позволяет разработчикам обеспечить оптимальную эффективность системы.
Технические параметры
| Series | IRLML2502 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Корпус | SOT-23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | 2 N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | логические уровни |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 8 nC @ 5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±12 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.6V |
| Maximum Drain Source Resistance | 80 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.2 A |
| Крутизна характеристики, S | 5.8 |
| Пороговое напряжение на затворе | 0.6…1.2 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 27mΩ@10V |