HEXFET N-Channel MOSFET, 1.2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 IRLML2060TRPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014598520
- Артикул
- IRLML2060TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- PPAP
- No
- Width
- 1.4mm
- Series
- HEXFET
- EU RoHS
- Compliant
Цена по запросу
(от 19 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 1,2А, 1,25Вт, SOT23
Технические параметры
| PPAP | No |
| Width | 1.4mm |
| Series | HEXFET |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 3.04мм |
| Серия | HEXFET |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Высота | 1.02мм |
| Корпус | Micro3/SOT23 |
| Ширина | 1.4мм |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Размеры | 3.04 x 1.4 x 1.02мм |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Process Technology | HEXFET |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Тип канала | N |
| Standard Package Name | SOT-23 |
| Тип корпуса | SOT-23 |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Typical Fall Time (ns) | 2.8 |
| Typical Rise Time (ns) | 3.8 |
| Особенности | логические уровни |
| Номер канала | Поднятие |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.67 nC @ 4.5 V |
| Производитель | Infineon |
| Температура, С | -55…+150 |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Число контактов | 3 |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1250 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 0.67 4.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 480 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±16 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 4.9 |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.2 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 3.7 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 1.2 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 64 25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 480 10V |
| Материал транзистора | Кремний |
| Крутизна характеристики, S | 1.6 |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Крутизна характеристики S,А/В | 1.6 |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 0,67 нКл при 4,5 В |
| Типичная входная емкость при Vds | 64 пФ при 25 В |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.3 |
| Максимальное рассеяние мощности | 1,25 W |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Типичное время задержки включения | 4,9 нс |
| Максимальное напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимальный непрерывный ток стока | 1,2 А |
| Типичное время задержки выключения | 3.7 ns |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*48*45/15000 |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -16 V, +16 V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 480 mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 640 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 2.5 |